NPN 형 --> 이미터 N형 - 베이스 P형 - 켈럭터 N형
PNP 형 --> 이미터 P형 - 베이스 N형 - 켈럭터 P형
‘ + ’ 기호는 이미터 영역의 도너 도핑 농도가 매우 크다.
화살표가 표시된 단자가 이미터 / 화살표는 전류가 흐르는 방향
화살표가 밖으로 --> NPN 형
화살표가 안으로 --> PNP 형
NPN 형 BJT --> B-E 순방향 VB > VE 되어 VBE > 0
순방향 활성모드 B-C 역방향 VC > VB 되어 VBC < 0
PNP 형 BJT --> B-E 순방향 VB > VE 되어 VEB > 0
순방향 활성모드 B-C 역방향 VC > VB 되어 VCB < 0
1번 --> 베이스-이미터 순향향 바이어스이므로 , 접합 전위장벽이 낮아져 이미터(N형) 영역의 다수 캐리어인 전자가 베이스 영역으로 주입됨
2번 --> 베이스(P형) 영역의 다수 캐리어인 정공이 이미터 영역으로 주입된다. N+ 로 높게 도핑되서 이미터에서 베이스로 주입되는 전자(1번)가 베이스에서 이미터로 주입된 전자 중 일부(3번)는 베이스 영역의 다수 캐리어인 정공(4번)과 재결합하여 소멸됨
포화모드
전자와 정공이 전위장벽을 넘어 이동함
순방향 바이어스에 의해 전위장벽이 낮아짐
B-E , B-C 접합이 모두 순방향 바이어스
NPN VBE > 0 , VBC > 0
PNP. VEB > 0 , VCB > 0
차단모드
억방향 바이어스에 의해 전위장벽이 높아짐
전자와 정공이 전위장벽을 넘어 이동하지 못함
B-E , B-C 접합이 모두 역방향 바이어스
NPN VBE < 0 , VBC < 0
PNP. VEB < 0 , VCB < 0
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